이번에 승진한 DS부문 메모리사업부 채교석상무(46)는 D램 제품 소자 전문가로 세계 최고용량 D1b 32Gb DDR5 제품 개발을 이끈 바 있다.

삼성전자는 성과 창출과 핵심적 역할이 기대되는 리더들을 부사장으로 승진시켜 미래 리더십도 강화했다.

노경래 부사장은 마케팅, 해외영업 등 풍부한 경험을 보유한 VD.

DX부문 CTO SR 통신S/W연구팀 하지훈상무 (39세)는 vRAN 차별화 기술을 리딩하며 통신 사업 경쟁력을 강화했고, DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 임성수 부사장(46세)은 DRAM Scaling 한계를 극복하기 위해 세계 최초로 수직 채널 트랜지스터(VCT) 개발을 주도했다.

평촌 어바인퍼스트

삼성전자는 성별과 국적에 관계없이.

채교석상무 (46세), DS부문 메모리사업부 Flash설계1그룹 박일한상무 (48세), DS부문 S.

LSI사업부 AI SOC-P/J 김우일상무 (46세), DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장 문광진상무 (51세) 등이 전면 배치됐다.

삼성전자 측은 "연령과 무관하게 경영성과에 기여도가 높고 성장 잠재력을.

채교석상무 (46세) ·DRAM 제품 소자 전문가로 DRAM 소자 특성 개선 및 양산성 확보를 주도하며 업계 최선단 D1b 제품 및 세계 최고용량 D1b 32Gb DDR5 제품 개발을 리딩 ▲ DS부문 메모리사업부 Flash설계1그룹 박일한상무 (48세) ·Flash 제품 설계 전문가로 V-NAND 제품 Core 회로 설계 기술력을.

DS부문 CTO 반도체연구소 D램 TD1팀의 임성수(46)부사장을 비롯, 신규 임원 승진자 중 최연소자인 DX부문 CTO SR 통신SW연구팀 하지훈(39세)상무등이 이름을 올렸다.

여성과 외국인 리더들을 승진시키며 다양성과 포용성을 강조하기도 했다.

DX부문 MX사업부 Digital Commerce팀장 서정아 부사장은 온라인.

그는46세의 나이에 부사장 직함을 달며, 반도체연구소에서 D램 제품 공정 개발 등을 주도하게 됐다.

그는 D램 제품 공정 통합 전문가로서 D램 스케일링 한계 극복을 위한 세계최초 수직 채널 트랜지스터(VCT) 개발을 주도하는 등 미래 경쟁력을 확보했다.

임원 승진 규모, 지난해 143명보다 소폭 감소 "성장 잠재력 보유한 젊은 리더들 발탁" 삼성전자가 부사장,상무, 펠로우(Fellow), 마스터(Master)에 대한.

디바이스솔루션(DS)부문 CTO 반도체연구소 D램 TD1팀 임성수(46)부사장은 D램 제품 공정 통합(Integration) 전문가로서 D램 스케일링 한계 극복을 위한 세계.

임성수 DS부문 CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을.

문광진 DS부문 CTO 반도체연구소 차세대공정개발3팀장상무(51세)는 본딩·3D 집적 기술 전문가로, 차세대 제품용 웨이퍼 본딩 기술 개발을 주도하며.

DX부문 CTO SR 통신소프트웨어연구팀의 하지훈상무(39세)가 30대상무승진자가 되었고, DS부문 CTO 반도체 연구소 D램 TD1팀의 임성수(46세) 부사장 등 40대 부사장도 8명 승진했습니다.

삼성전자는 또 성별, 국적에도 기준을 두지 않고 여성, 외국인 리더를 발탁해 다양성과 포용성을 갖춘 조직문화를.

삼성전자가 2025년 임원 인사에서 39세상무와46세 부사장을 배출하며 미래 삼성을 이끌 차세대 주자들을 전진배치했다.

'관록'의 한종희·전영현 부회장 투톱 체제를 유지하는 한편 '젊은 피'를 대거 수혈해 안정 속 변화를 조화롭게 구현했다.

특히 40대 부사장 8명과 30대상무1명을 발탁한 것은 이재용.